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2.5 Inch SATA III P3系列
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2.5 Inch SATA III P3系列

零售价
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市场价
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最大读取速度(MB/s)

540~570(MB/s)

最大写入速度(MB/s)

510~540(MB/s)

4K 随机读IOPS

91600

4K 随机写IOPS

71100

输入电压

DC 5V±5%

产品编号
数量
-
+
库存:

型号:P3-XXX

• 超过读写性能
• 特殊容量设计
• 增强兼容性

容量支持:

 
  • 128GB
  • 256GB
  • 512GB
  • 1TB
  • 2TB
1
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P3P3P3

规格书
项目 产品型号 P3-XXX
概述 外形尺寸 2.5英寸 100.4×70×7.0mm(长×宽×高)+0.5mm
接口及兼容性 SATA接口 支持Serial ATA Revision 3.0,向下兼容SATAⅡ
支持的系统 Windows XP,Windows 7,Windows 2003,Windows 2008,DOS,linux,unix
性能 容量

128GB  256GB  512GB  1TB  2TB

NAND闪存

3D TLC  3D TLC  3D TLC  3D TLC  3D TLC

读取/写入速度(MB/s) 128GB    450~500(MB/s)    400~450(MB/s)
256GB    500~550(MB/s)    450~500(MB/s)
512GB    510~560(MB/s)    470~540(MB/s)
1 T B    510~570(MB/s)    480~540(MB/s)
2 T B    540~570(MB/s)    510~540(MB/s)
4K 随机读/写IOPS 128GB     44000~62700(IOPS)
256GB     83700~66900(IOPS)
5152GB    69600~91500(IOPS)
1 T B     91600~71100(IOPS)
2 T B     91600~71100(IOPS)
4K 连续读/写IOPS 128GB    97000~72900(IOPS)
256GB    97200~70800(IOPS)
512GB    91500~73200(IOPS)
1 T B    95400~76200(IOPS)
2 T B     95400~80300(IOPS)
平均存取时间 128GB     0.04ms
256GB     0.04ms
512GB     0.04ms
1 T B     0.04ms
2 T B     0.04ms
电气特性 输入电压 128GB     DC 5V±5%
256GB     DC 5V±5%
512GB     DC 5V±5%
1 T B     DC 5V±5%
2 T B     DC 5V±5%
空闲功耗 128GB     0.6W
256GB     0.6W
512GB     0.6W
1 T B     0.61W
2 T B     0.61W
工作功耗 128GB     1.2W
256GB     1.24W
512GB     1.32W
1 T B     1.62W
2 T B     1.82W
可靠性与稳定性 写寿命(100GB/天) 每天写50GB资料可以用3年
读寿命 无限
数据保存 在25度下可以存放10年以上
平均故障间隔时间 100万小时
错误检查与纠错 Hardware LDPC ECC capable of correcting errors up 2K Byte
FLASH管理 系统自动坏块管理
环境 工作温度 0~+70℃
存放温度 -20~+75℃
环境湿度 5-95%
保修时间 3年保修;
认证 CE,ROHS,FCC,
量产状况 已量产
测试平台 CPU:Intel® Core(TM) i3-6100 CPU @ 3.70GHz
Chipset:Intel® Z270 Express Chipset 
Memory:Kingston KHX1600C9D3C1K2/4GX
OS:Microsoft Windows 10 Professional 64-bit
AHCI Driver: Server Express Chipset SATA AHCI Controller 
BIOS Settings: AHCI Mode
测试软件 Crystal Disk Mark 5.2
HD Tune Pro5.0
ATTO Disk Benchmark
IOmeter 2008  AS_SSD  Benchmark
     

 

CE FCC 认证 ISO9001
reach RoHS 国家高新技术

 

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